Utilizes ஒரு செயலை திட்டத்திற்கும் ions ஒரு திடமான பரப்பு penetrate வேண்டும். , மேற்பரப்பு தொகுப்பு, கட்டமைப்பு, அல்லது திட பொருள் குணம் திருத்த implanted ions பயன்படுத்த முடியும். இந்த மேற்பரப்பு மாற்றம், அயன் வகைகளை, எரிசக்தி மற்றும் flux பொருத்தது. சதவீத பயன்பாட்டாளர் குறியீட்டை அடைய ஆழத்தை அயன் சக்தி மற்றும் ions பயன்படுத்தப்படும் வகையை வழிகளையும் கட்டுப்பாட்டில் இருக்க முடியும். எண்ணிக்கை, திண்ம ஆராய்வதுடன் ions பொருத்தே அயன் flux மற்றும் நேர அளவுக்கு implantation. நுட்பமான வேலை வாய்ப்பு ions உள்ள at குறைந்த வெப்பநிலை ஒரு திண்ம நிலையில் இந்த தொழில்நுட்பத்தை அனுமதிக்கிறது. அது semiconductors மின்சார குணங்களை மாற்றம் செய்தல் மற்றும் alloys, உலோகங்கள் மற்றும் dielectrics பொருள்களாக குணங்களை மேம்படுத்த பல பயன்பாடுகளில் பயன்படுத்தப்படுகிறது.