- Industry: Semiconductors
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- Company Profile:
National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
A storage device in which the ability to access a randomly selected bit of stored data is independent of either the timing of the most recent access of that bit or the location of the most recently addressed bit. Data may be read nondestructively, but existing data is automatically erased when new data is written into a specific bit location. RAMs may be either static (that is, able to retain data when the power supplies are not biased) or dynamic (that is unable to retain data unless a "refresh" voltage is periodically applied).
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個々 のデバイスのシリアル番号、実際のパラメトリック値特定の電気テスト時点でそのデバイスの測定による記録。読み取り-記録デバイスの特性評価、ドリフト （デルタ） 測定または温度係数の計算を実行できます。
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同じパッドまたはポスト以前接続を試みた結合として新しいボンドの配置。オリジナルのボンドが削除されている場合、新しいボンドはまだ、再ボンディングと見なされます。債券-オフ、つまり、余分なボンド ボンディング マシンをクリアするの目的のためのポスト (決してパッド) の端に配置しない、再ボンディングと見なされます。
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The anticipated lifetime of a device, how long it can be expected to "survive" in the user's system. This is normally defined as a failure rate (percent per 1000 hours) or as an MTBF (Mean Time Between Failures, expressed in hours).
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サンプル デバイスなどの溶剤にトリクロロトリフルオロエタンや塩化メチレン、ユニット ・ マーキングの耐久性を決定するブラッシング後の浸漬を必要とするテスト。
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ナショナル セミコンダクター実際の電気テスト与えられた軍事デバイスの種類を詳しく説明するために使用 1 つのページの文書。
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ウエハ製造工程の間に金属のマスク ・ パターンの構成によって行われます通常の永久的な nonerasable フォームにデータを格納するための半導体デバイスです。
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